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一、AMB陶瓷基板
隨著我國新能源汽車、高鐵、城市軌道交通以及智能電網(wǎng)的高速發(fā)展，對高壓大功率|GBT模塊的需求日益增長。由于IGBT輸出功率高、發(fā)熱量大，芯片散熱不良將導(dǎo)致|GBT模塊失效。據(jù)報道，約70%的IGBT模塊失效歸因于散熱不良引起的鍵合線剝離或熔斷。芯片的散熱主要通過1GBT模塊中的AMB陶瓷基板來實現(xiàn)，其作用是吸收芯片的產(chǎn)熱并傳導(dǎo)至熱沉上，從而實現(xiàn)芯片與外界之間的熱交換。因此，陶瓷散熱基板的AMB活性釬覆銅工藝是關(guān)鍵。提供產(chǎn)品：AgCuTi銀銅鈦粉狀/膏狀、AgCulnTi銀銅銦鈦粉狀/膏狀。

二、芯片粘接
應(yīng)用場景：芯片與DBC基板、DBC基板與底板實現(xiàn)可靠焊接。
技術(shù)特點：低空洞率、雜質(zhì)含量少。
提供產(chǎn)品：高潔凈焊片。